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    魏哲家密访ASML 外媒:台积电不买High-NA EUV立场松动?

    图为英特尔晶圆厂内的High NA EUV。(路透)

    台积电先前一再表示,半导体设备制造商艾司摩尔(ASML)的高数值孔径极紫外光机台(High-NA EUV),太过昂贵,2026年前使用没有太大的经济效益,但近来台积总裁魏哲家密访ASML总部,让外界不禁猜测,台积是否改变心意。

    综合科技媒体wccftech和韩媒BusinessKorea报导,消息人士指出,魏哲家缺席23日登场的台积电2024年技术论坛台湾场,于26日造访了ASML荷兰总部,以及工业雷射公司创浦(TRUMPF)的德国总部。

    金融分析师奈斯泰德(Dan Nystedt) 28日在X平台发文写道,台积似乎加入追逐下一世代EUV设备之战,即High-NA EUV机台,理由是魏哲家访问ASML与雷射供应商创浦,而非参与在台湾举行的技术论坛。据传魏哲家的到访,显示台积想买High-NA EUV,此种设备对2纳米以下制程极为关键。ASML去年12月已出货首台High-NA EUV给英特尔。

    相关人士分析,台积管理层似乎决定拜访ASML,以确保在全球半导体的主导地位。台积原本打算在2026年下半量产1.6纳米制程后,再导入High-NA EUV。

    台积的竞争对手英特尔和三星电子,都已有所行动。英特尔想借着High-NA EUV,达到难以超越的领先优势。最先出货的几台High-NA EUV,都送往英特尔的晶圆代工部门。英特尔想先在1.8纳米试用此种设备,之后正式导入于1.4纳米制程。

    三星集团会长李在镕则在4月亲访ASML关键伙伴蔡司(Carl Zeiss)的德国总部,拜会ASML首席执行官傅凯与蔡司首席执行官兰普雷希特,以强化三方的半导体联盟。EUV不只用于2纳米晶圆代工,也用于生产最先进的DRAM,三星为此重押High-NA EUV技术。

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