中国哈尔滨工业大学日前在官方新闻网宣布，「放电等离子体极紫外光刻光源」两个项目获得获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。也就是被誉为「曝光机心脏」的极紫外（EUV）光源技术有了突破。
中华经济研究院第二研究所国际链结组副组长江泰槿23日表示，由于美国持续制裁中国，迫使中国不得不在制程微缩、封装技术及新材料开发方面寻求突破，而曝光机属于制成微缩的部分，这代表中国想要绕过艾司摩尔（ASML）自己开发极紫外光（EUV）曝光机光源，但现阶段仍属于实验室等级，开发成本相当高，短期量产几率不高。」
哈尔滨工业大学新闻网报导，这项名为「放电等离子体极紫外光刻光源」的项目，由航太学院的赵永鹏教授研发。该项目「具有高能量转换效率、低成本、紧凑体积以及相对较低的技术难度」等优势。
可提供中心波长为13.5纳米的极紫外光，能够满足极紫外光刻市场对光源的迫切需求，为推动中国极紫外光刻领域发展、解决高端制造领域关键问题作出了贡献。
在半导体行业中，曝光机是最复杂且最难制造的设备之一，有极紫外光（EUV）与深紫外光（DUV）之分，其中极紫外光（EUV）曝光机制造技术要求很高，是中国的技术短板。中国的科研院所与高校一直进行科技攻关，解决制造技术上的难题。
目前只有极紫外（EUV）曝光机能够生产小于7纳米的芯片，而当前全球唯一能够制造极紫外光（EUV）曝光机的公司是荷兰的艾司摩尔（ASML）。但在美国压力下，自2019年以来，艾司摩尔（ASML）就已被禁止，向中国出售最先进的设备。
隶属于中国工信部的哈工大，始建于1920年，当时校名为哈尔滨中俄工业学校采俄语授课，建校的宗旨是为俄国控制的中东铁路培养工程技术人才，目前拥有哈尔滨、威海、深圳三个校区，是一所以理工为主，理、工、管、文、经、法、艺等多学科协调发展的重点大学，已故台湾前行政院长孙运璇也毕业于哈工大。
