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    SK海力士将建在美首座芯片厂 斥资近40亿美元 2028年下半年量产

    SK海力士计划斥资近40亿美元,在美国印第安纳州West Lafayette兴建先进封装厂和AI产品研究中心。(路透)

    SK海力士计划斥资38.7亿美元在美国印第安纳州West Lafayette兴建先进封装厂和AI产品研究中心,这标志拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量上的胜利。

    这家全球第二大内存芯片制造商表示,首座美国厂拟于2028年下半年开始量产,重点是建设下一代高带宽记忆芯片(HBM)生产线,这些芯片是训练AI系统的绘图处理器关键组件。

    作为所谓HBM芯片的主要设计者和生产商,SK海力士已成为AI发展热潮的关键参与者。SK海力士的项目标志美国增加先进封装产能的雄心壮志向前迈出重要一步。美国的封装产能仅占全球的3%,意味在美国生产芯片的公司仍需将芯片运往亚洲组装使用。

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